李永宏
西安交通大学，能源与动力工程学院核科学与技术系，工程师。
主要从事半导体器件辐射效应，2001年毕业于吉林大学材料科学与工程系，到西北核技术研究所工作，主要从事半导体器件辐射效应数值模拟和实验方法研究工作，在西北核技术研究所工作期间主要负责辐射环境参数测量、半导体器件辐射效应测试系统设计及半导体器件辐射效应实验测试工作，代表性工作有：在60Co源和252Cf源及“强光一号”辐射源上对国产SOI SRAM和1750A CPU进行了总剂量效应、单粒子效应及剂量率效应研究，为国产器件在卫星上的应用提供了实验考核依据；设计了基于CPLD的存储器辐射效应测试系统，为课题组顺利开展存储器电路的X射线损伤效应、重离子效应及总剂量效应提供了必备条件。
2006年9月考入西安交通大学，攻读核科学与技术方向硕士学位，2008年3月转为提前攻读核科学与技术专业博士学位，主要从事半导体器件辐射效应理论研究工作，博士课题为“深亚微米器件的单粒子效应数值模拟与实验研究”。完成学术论文28篇，SCI文章6篇， EI文章8篇，参加国际会议3次，参与完成国家发明专利2项。
工作经历:
2001.08-2006.06，西北核技术研究所，研究实习员
2013.2-现在，西安交通大学，能源与动力工程学院核科学与技术系，工程师
部分论文:
1. Li Yonghong, He Chaohui, Zhao Fazhan,Guo Tianlei, Liu Gang, Han Zhengsheng, Liu Jie, Guo Gang, Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs. Nucl. Instr. And Meth. B267(1):83-86,2009, doi:10.1016/j.nimb. 2008.10.082/（SCI: 408SF; EI:20090411876774).
2. He Chao-Hui, Li Yong-Hong. Experimental study on radiation effects in floating gate read-only-memories and static random access memories. Chinese Physics,2007,16(9):2773 -2778(SCI: 209MM,频引1次).
3. Li Yonghong, He Chaohui. Simulation of Heavy Ion Source-Drain Penetration Effect in SOI MOS and bulk MOS, ICONE-18,Xi’an, May 17-21, 2010(EI: 20114014385924).
4. Du Tang，Yonghong Li，Guohe Zhang，Chaohui He，Yunyun Fan.Single Event Upset Sensitivity for 45nm FDSOI and FinFET SRAMs,Science Technology Science,2013,56(1):1-6（SCI）.
5. Li Yonghong, He Chaohui, Zhao Fazhan, Study on heavy ion single event effects in SOI SRAM, 2st Joint International Symposium on Nuclear Science and Technology.Tokyo,Japan, April 20-25, 2009
6. He Chao-Hui, Li Yong-Hong. Progress in Single Event Effects Simulation Experiments in XJTU. 1st Joint International Symposium on Nuclear Science and Technology.Xi’an,China, March 17-19, 2008
7. Li Yonghong, He Chaohui, et al. Experimental Study on Heavy Ions Irradiation Effect in Flash ROMs, Annual Report 2009, Beijing National Tandem Accelerator Laboratary.
8. He chaohui, Li Yonghong, Zhao Fazhan, et al. Experimental study on heavy ion Single Event in SOI SRAMs, Annual Report 2006, Beijing National Tandem Accelerator Laboratary.
9. 李永宏,贺朝会,周辉. 应用锎源实验结果预估空间轨道单粒子翻转率.原子能科学技术, 2009,43(11)：1029-1033（EI:20095012535841）.
10. 贺朝会，李永宏，杨海亮.单粒子效应辐射模拟实验研究进展.核技术，2007，30(4): 347-351(EI： 72010603516).
11. 李永宏,贺朝会.80C196单粒子效应测试系统[J/OL].中国科技论文在线, http://www. paper.edu.cn/paper.php?serial_number:200703-520.
12. 李永宏, 赵耀林, 唐杜, 贺朝会.130 nm 体硅SRAM和SOI SRAM器件单粒子翻转3D模拟与分析[J/OL].中国科技论文在线, http://www.paper.edu.cn/index.php/default/releasepaper/content/201201-860.
13. 唐杜，贺朝会，刘书焕，李永宏，基于SOI工艺的圆柱形PIN微剂量探测电荷收集特性数值模拟与分析，《第十一届抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会会议》，2011.
14. 赵发展, 郭天雷, 刘刚, 海潮和, 韩郑生, 贺朝会, 李永宏， 8K×8 SOI SRAM单粒子效应实验研 《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集》， 2009年 .
15. 李永宏, 贺朝会, 杨海亮, 何宝平, 可编程逻辑器件在存储器辐射效应测试系统中的应用, 核电子学与探测技术，Vol.25, No.5, 2005(收录号：EI 05449454198).
16. 贺朝会, 耿斌, 李永宏, 惠卫东, 大规模集成电路单粒子闭锁辐射效应测试系统，核电子学与探测技术，Vol.25, No.6, 2005(EI 05519605763).
17. 贺朝会，郭刚，李永宏等. SRAM重离子微束单粒子效应实验研究. 科技导报社.中国科协2005年学术年会论文集:以科学发展观促进科技创新（中）.北京：中国科学技术出版社，2005：662－667
18. 何宝平，王桂珍，龚建成，罗尹虹，李永宏，利用等时退火法预估等温退火效应实验研究，物理学报，Vol.52, No.9, 2003.
19. 贺朝会, 耿斌, 何宝平, 姚育娟, 李永宏, 彭宏论, 林东生, 周辉, 陈雨生, 大规模集成电路总剂量效应测试方法初探, 物理学报, Vol.53, No.1, 2004 (SCI: 765LR，被他引6次)
完成专利：
1. 贺朝会, 李永宏, 一种消除存储器总剂量效应的数据取反方法, 发明专利. 专利号：ZL 2009 1 0023281.1.
2. 贺朝会, 张鹏, 李海钰, 李永宏, 微通道板型复合同位素电池, 发明专利. 专利号：ZL 2008 1 0017576.3.
