贺朝会
男，博士，西安交通大学教授，博士生导师。现任西安交通大学核科学与技术学院副主任，负责核技术及应用学科的建设与科研；为本科生和研究生等讲授：核测量技术与仪表、辐射测量新技术、应用核物理学、原子核物理、辐射防护、环境放射性等课程。目前研究方向主要为电子元器件、集成电路和核材料的辐射效应；加速器质谱应用-核环境及核素迁移；核电池；辐射测量等。
联系方式：
Email: hechaohui@mail.xjtu.edu.cn
个人主页：hechaohui.gr.xjtu.edu.cn
通信地址：陕西省西安市西安交通大学 核科学与技术学院
邮编： 710049
传真：029-82667802
详细介绍：
1989年7月毕业于北京大学技术物理系核物理专业，获理学学士学位；1992年8月至1993年7月在北京大学技术物理系学习硕士研究生基础理论课；1995年6月毕业于西北核技术研究所，获核电子学与探测技术专业硕士学位；1999年5月毕业于西安交通大学，获电子科学与技术学科博士学位。
2004年受聘西安交通大学教授；入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”；2005年入选“中国科技论文在线”知名学者；被兰州大学聘为兼职教授；2006年当选陕西省核学会理事；2009年入选《原子能科学技术》编委；中国宇航学会会员；2010.10-2011.10年美国University of Wisconsin-madison访问学者；2012年入选陕西省核与辐射安全专家库。目前为Journal of Nuclear Materials、SCIENCE CHINA、Chinese Physics、物理学报、原子能科学技术、核技术、半导体学报、质谱学报、空间科学学报、宇航学报、中国国防科技大学学报等学术期刊的审稿人，担任国际核工程大会分会主席或副主席。
曾获部级科技进步一等奖1项：单粒子效应××××（排名第1）；部级科技进步三等奖2项：××××单粒子烧毁、栅穿效应的理论模拟方法与实验研究(排名第五)；××××辐照效应机理和规律研究（排名第三）。
发明专利4项：微通道板型复合同位素电池，专利号：ZL 2008 1 0017576.3；复合型同位素电池，专利号：2009 1 0022320.6；一种消除存储器件总剂量效应的数据取反方法，专利号：ZL 2009 1 0023281.1。一种碳纳米管同位素电池，专利号：ZL 2009 1 0023563.1。
实用新型专利1项：用于pA量级质子束流测量的法拉第探测器，专利号：ZL 01 2 46812.6
荣立个人和集体三等功各1次。
先后主持国家自然科学基金、国防预研及参加863项目等二十多项。
在研项目：
“超深亚微米SOI器件的重离子单粒子效应新机理研究”，国家自然科学基金
“微纳米SOI器件的重离子位移损伤效应机理研究”，教育部博士点基金
“利用热堆嬗变长寿命核素技术研究”，国家高技术研究发展计划(863计划)
完成项目：
“高能质子单粒子效应××××研究”，××预研基金
“复杂器件单粒子效应评价指标和评价方法研究”，中国航天科技集团第五研究院
“GaAs\CCD\FPGA等新型器件辐射效应及试验方法调研分析”
教育部高校第二类特色专业——核技术专业建设项目，教育部
“几种商用浮栅存储器单粒子效应规律研究”，中国科学院上海微系统与信息技术研究所
“××的位移损伤效应新机理研究”，××预研基金
“90C196 CPU 辐射效应测试系统研制”，中国航天科技集团公司510研究所
“SOI电路单粒子试验研究”，中国科学院微电子研究所
“核电站放射性核素加速器质谱分析”，西安加速器质谱中心预研基金
“××××抗辐射设计与验证方法”，中国电子科技集团公司第五十四研究所
“用于瞬态辐射过程诊断的闪烁光纤成像阵列研究”国家自然科学基金
“存储器辐射效应测试系统设计”，中国原子能研究院
“核辐射效应及评估技术研究”，教育部“新世纪优秀人才支持计划
“重离子微束研究航天电子器件单粒子效应机制”
“SRAMα源单粒子效应试验分析和路由器α粒子软失效分析”，华为公司
“电子元器件抗辐射效应××××研究”，××预研重点项目
“单粒子闭锁××××研究”，××预研项目
“单粒子效应高低温装置及测控系统”，××实验室建设项目
“质子测量标准建立及校准方法研究”，××军事计量课题
“单粒子效应××××研究”，××预研项目
“××抗单粒子效应加固技术研究”，××科技预研项目
科研成果：
发表研究论文80余篇， 被SCI收录20篇；被EI收录23篇。参与编书1本：《电子元器件抗辐射加固技术》。应邀为中国电子科技集团第13、18、24、44、46、47、58研究所等开展电子元器件抗辐射加固技术方面的讲课培训。
1. Pengfei Zong, Shoufang Wang, Chaohui He*. Synthesis of kaolinite/iron oxide magnetic composites and their use in the removal of Cd(II) from aqueous solutions. Water Science and Technology, Accepted.
2. Hang Zang, Tao Yang, Daxi Guo, Jianqi Xi, Chaohui He*, Zhiguang Wang, Tielong Shen, Lilong Pang, Cunfeng Yao, Peng Zhang. Modifications of SiC under high fluence Kr-ion irradiation at different temperatures. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Available online 18 January 2013
3. Pengfei Zong, Shoufang Wang, Yaolin Zhao, Hai Wang, Hui Pan, Chaohui He*. Synthesis and application of magnetic graphene/iron oxides composite for the removal of U(VI) from aqueous solutions. Chemical Engineering Journal, Volume 220, 15 March 2013, Pages 45–52
4. Du Tang, YongHong Li, GuoHe Zhang, ChaoHui He*, YunYun Fan.Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM. Science China Technological Sciences, March 2013, Volume 56, Issue 3, pp 780-785
5. Pengfei Zong, Hai Wang, Hui Pan,Yaolin Zhao, Chaohui He*. Application of NKF-6 zeolite for the removal of U(VI) from aqueous solution.Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry, Volume 295, Issue 3 (2013), Page 1969-1979
6. Pengfei Zong, Hai Wang, Hui Pan, Chaohui He*.Investigation of sequestration mechanisms of radionuclide 63Ni(II) on kaolinite in aqueous solutions has now been published in the following paginated issue of Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry,Volume 295, Issue 1 (2013), Page 405-413
7. Maoyi Luo, Xiaolin Hou, Weijian Zhou, Chaohui He, Ning Chen, Qi Liu, Luoyuan Zhang. Speciation and migration of 129I in soil profiles. Journal of Environmental Radioactivity, 2013, 118: 30-39
8. Weijian Zhou, Ning Chen, XiaolinHou, Luyuan Zhang, Qi Liu, Chaohui He, Yukun Fan, MaoyiLuo, Yaolin Zhao, Zhiwen Wang. Analysis and environmental application of 129I at the Xi’an Accelerator Mass Spectrometry Center. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2013,294:147–151
9. Hang Zang, Daxi Guo, Tielong Shen, Chaohui He*, Zhiguang Wang, Lilong Pang, Cunfeng Yao, Tao Yang. Investigation of Swelling Induced by Heavy Ion and Neutron Irradiation in SiC. Journal of Nuclear Materials, 2013,433(1-3):378–381
10. Pengfei Zong, Zhiqiang Guo, Chaohui He*, Yaolin Zhao, Shuhuan Liu, Hai Wang and Hui Pan. Impact of environmental conditions on the sequestration of radionuclide 60Co(II) at Ca-rectorite/water interface. Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry, 2012,293(1): 289-297, DOI: 10.1007/s10967-012-1758-2
11. Peng Zhang, Yong Lu, Chao-hui He, Ping Zhang. First-principles study of the incorporation and diffusion of helium in cubic zirconia. Journal of Nuclear Materials, vol.50, pp. 3297-3302, 2011. doi:10.1016/j.jnucmat. 2011.06.025，SCI：850XS
12. Peng Zhang, Shuang-Xi Wang, Jian Zhao, Chao-Hui He, Ping Zhang. First-principles study of H2 adsorption and dissociation on Zr（0001）. Journal of Nuclear Materials. doi:10.1016/j.jnucmat. 2011.06.029，SCI：850XS
13. Peng Zhang，Bao-tian Wang，Chao-Hui He，Ping Zhang. First-principles study of ground state properties of ZrH2, Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci. 2011.06.016，SCI：825AA
14. Chaohui He, Xiaolin Hou,Yaolin Zhao et.al., 129I Level in Seawater near a Nuclear Power Plant Determined by Accelerator Mass Spectrometer, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 632 (2011) 152-156, doi: 10.1016/j.nima.2010.12.182，SCI：730QL，EI：20110513641380
15. 张璐，贺朝会，陈亮等. 闪烁体薄膜在线测量质子束流强度[J]．核技术，2012,35(1): 21-25
16. 王三丙,贺朝会. 外中子源驱动式核电源, 核技术, 2011,(4):313-316
17. 胡志良，贺朝会，张国和，郭达禧. 超深亚微米SOI NMOSFET中子位移损伤数值模拟[J]. 原子能科学技术, 2011,45(4):456-460，EI：20112714112744
18. 胡志良，贺朝会.4H-SiC NMOS电子、质子辐照数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2011,23(4):1-4，EI：20112314043864
19. 胡志良，贺朝会，工艺参数对SOI NMOS总剂量效应的影响，核技术，2010，33(10)：779-782
20. 张园园，赵耀林，张国和，贺朝会．埋氧层陷阱电荷对深亚微米SOI NMOSFETs重离子单粒子效应的影响[J/OL]．中国科技论文在线，2012，http://www.paper.edu.cn/index.php /default/releasepaper/content/201201-434
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22. Zhiwen Wang, Chaohui He, Huaibin Li, et al., Measurement of 129I level around a Nuclear Power Plant by Accelerator Mass Spectrometer , Proceedings of the 18th International Conference on Nuclear Engineering(ICONE18-29976) May 17-21, 2010, Xi'an, China，EI：20114014385984
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25. W.J.Zhou, X.L.Hou, N. Chen, L.Y.Zhang, Q.Liu, C.H.He,etc. Preliminary study of radioisotope 129I application in China using Xi’an Accelerator Mass Spectrometer, INCS News,25th Issue,Volume VII, No.1:8-23, 2010.
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27. Zhiwen Wang, Huaibin Li, Chaohui He,Ning Chen, Qi Liu, Luyuan Zhang, Maoyi Luo,Yukun Fan, Wangguo Liang ,Yunchong Fu. Measurement of 129I in Seawater near a Nuclear Power Plant by Accelerator Mass Spectrometer. The 3rd East Asian Symposium on Accelerator Mass Spectrometry, October 19-22, 2009, Xi'an, China
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31. 张鹏，贺朝会.次临界裂变热源与同位素衰变热源比较分析.中国核学会2009年学术年会，2009年11月17－20日，北京
32. 彭振驯 张鹏 贺朝会，一种复合型同位素电池的理论设计 [J/OL]. 中国科技论文在线，http://www.paper.edu.cn/paper.php?serial_number=200904-555，第二届全国核技术及应用研究学术研讨会，绵阳，2009年5月18-23日
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45. 贺朝会，耿斌，黄芳等，真空和辐射环境下的高低温系统,核电子学与探测技术,24(3): 272-274,2004，收录号：EI 04318296988
46. 贺朝会，耿斌，姚育娟等，大规模集成电路总剂量效应测试方法初探，物理学报,53(1): 194-195,2004,收录号：SCI: 765LR，被他引6次
47. 贺朝会，耿斌，王燕萍等，浮栅ROM器件辐射损伤机理分析，物理学报，52(9)：2235- 2238,2003,收录号：SCI: 720AE，被他引2次
48. 贺朝会，耿斌，杨海亮等，浮栅ROM和SRAM抗辐射性能比较分析，电子学报,31(8):1260 -1262,2003，收录号：EI4108052713
49. 贺朝会，耿斌，王燕萍等，浮栅ROM器件的辐射效应实验研究，物理学报，52(1)：180- 187,2003,收录号：SCI: 644KA/INSPEC:7583236，被他引2次
50. 郭红霞，韩福斌，陈雨生，周辉，贺朝会，半导体器件硬X射线剂量增强效应研究，核技术，2002，25（10）：811-815，收录号：EI02497258303
51. 王燕萍，唐本奇，李国政，贺朝会，陈晓华，空间单粒子效应的252Cf辐照模拟测量系统及应用，核技术，2002，25（4）：247-250，收录号：EI 02397116716
52. He Chaohui, Geng Bin, Chen Xiaohua et al., Experimental Study on Irradiation Effects in Floating Gate ROMs, Workshop RADECS(Radiation Effects on Components and Systems) 2002 Conference Proceedings, pp147-150, September 19-20, 2002, Padova University, Padova, Italy
53. He Chaohui, Chen Xiaohua, Li Guozheng, Simulation Calculation for High Energy Proton Single Event Upset Effects, ICM (International Congress of Mathematicians) 2002-Beijing, Satellite Conference on Scientific Computing (Abstracts), pp33-34, August 15-18, 2002, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China
54. 贺朝会，耿斌，王燕萍等，浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究，核电子学与探测技术,22(4):344-347,2002，收录号：INIS: 34-032661，被他引2次
55. 贺朝会，陈晓华，李国政，高能质子单粒子翻转效应的模拟计算，计算物理，19(4)：367-371,2002，被他引3次
56. 贺朝会，耿斌，王燕萍等，重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究，核电子学与探测技术,22(3):228-230,2002，收录号：EI02397111392/CA138：263983/INIS: 33- 061569
57. 贺朝会，耿斌，王燕萍等，静态随机存取存储器重离子单粒子效应实验研究，核电子学与探测技术,22(2):155-157,2002，收录号：INIS:33-061548，被他引2次
58. 贺朝会，耿斌，陈晓华等，浮栅ROM器件质子辐射效应实验研究，空间科学学报，22(2): 184-192,2002
59. 贺朝会，耿斌，杨海亮等，半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验研究，强激光与粒子束，14（1）：146－150，2002，收录号：CA ：DN 136:393872/INIS:33-027498/INSPEC: 7233685
60. 郭红霞, 陈雨生, 张义门, 韩福斌, 贺朝会, 周辉，浮栅ROM器件X射线剂量增强效应实验研究， 物理学报， 2002，51 (10): 2315-2319.收录号：SCI: IDS Number: 609JF
61. 杨海亮 李国政 姜景和 贺朝会 陈晓华，热释光剂量计监测质子注量，强激光与粒子束， 2001,13(02)：233－236
62. 杨海亮，李国政，李原春，姜晶和，贺朝会，唐本奇，中子和质子导致的单粒子效应的等效性的蒙特卡罗模拟，原子能科学技术，2001，35（6）：490-495，收录号：EI 02216953030
63. He Chaohui, Yang Hailiang, Geng Bin et al.，Experimental Study on Single Event Effects in Semiconductor Devices Using Accelerators，Proceedings of the Second Asian Particle Accelerator Conference，pp923-925, September 17-21, 2001, Beijing, China，收录号：INIS:33-023828
64. 贺朝会，空间轨道单粒子翻转率预估方法研究，空间科学学报，21(3):266-273,2001
65. 唐本奇，王燕萍，耿斌，陈晓华，贺朝会，杨海亮，功率MOS 器件单粒子烧毁和栅穿效应的252Cf裂变碎片模拟，原子能科学技术，2000，34（4）：339-343，收录号：EI 01396661320
66. 陈晓华，贺朝会，姬琳等，80C86单粒子效应测试系统及实验研究，原子能科学技术， 34(4)：344-348, 2000，收录号：EIP01396661321/INIS: 31-063140，被他引1次
67. 贺朝会，陈晓华，李国政，杨海亮，质子单粒子翻转截面计算方法，中国空间科学技术，20（5）：10-16，2000
68. 贺朝会，杨海亮，耿斌等，静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究，核电子学与探测技术，20（4）：253-257，2000,收录号：INIS: 32-009615/EI00115399696
69. 贺朝会，陈晓华，李国政，刘恩科等， FLASH ROM 28F256和29C256的14MeV中子辐照实验研究，核电子学与探测技术，20（2）：115-119，2000,收录号：INIS: 31-051957/ EI00095314093，被他引1次
70. 贺朝会，李国政，罗晋生，刘恩科，CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析，半导体学报，21（2）：174-178，2000，被他引2次
71. 贺朝会，耿斌，李国政，刘恩科等，pA量级质子束流测量系统，核电子学与探测技术，20（1）：40-42，2000，收录号：CA132：299843t/INIS: 31-053455/EI00095312740
72. 贺朝会，陈晓华，刘恩科，李国政等，EEPROM 28C64和28C256的14MeV中子辐照特性，微电子学，29（4）：262-266，1999
73. 贺朝会，李国政，刘恩科，北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析，原子能科学技术，33（2）：175-181，1999，收录号：EI99104807746/CA131：205725k/INIS: 30-024774
74. 贺朝会，半导体存储器的单粒子效应研究，西安交通大学博士学位论文，1999
75. 贺朝会，姜景和，李国政，双极晶体管中子辐照效应的计算机模拟，抗核加固，13（2）：73-93,1996
76. 贺朝会，李国政，一个潜在的高能质子源，试验与研究，20（4）：29-35,1997
77. 贺朝会，陈晓华，王燕萍，李国政，14MeV中子辐照FLASH ROM的实验研究，试验与研究，21（3）：29-32,1998/第九届全国核电子学与探测技术学术会议文集，21-26,1998,中国电子学会/中国核学会，大连，辽宁,收录号：INIS: 31-053549
78. 贺朝会，杨海亮，耿斌等，SRAM质子单粒子效应实验研究，第四届卫星抗辐射加固技术学术交流文集：188-194，中国空间技术研究院，1999.9，兰州
79. 贺朝会，陈晓华，李国政等，硅器件高能质子单粒子翻转截面计算方法，第四届卫星抗辐射加固技术学术交流文集：195-201，中国空间技术研究院，1999.9，兰州
80. 贺朝会，李国政， CMOS SRAM单粒子翻转过程中的时间因素，第四届卫星抗辐射加固技术学术交流文集：202-208，中国空间技术研究院，1999.9，兰州
81. 贺朝会 单粒子效应研究的现状和动态，抗核加固，17（1）：82-98，2000
82. 贺朝会，陈晓华，李国政，高能质子在存储单元灵敏区内沉积能量的模拟计算，第三届计算物理学术会议论文集，197-202，中国计算物理学会，2001.8，乌鲁木齐/高科技研究中的数值计算，第七卷：57-61，2001，科学与工程计算丛书编辑部
83. 贺朝会，国内单粒子效应实验测试技术分析，第三届全国核仪器应用学术会议论文集：198-202，中国电子学会/中国核学会核电子学与核探测技术分会，2001.9.20-24，广西，桂林
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