姓名：唐杜

入学时间：2010年

研究方向：电子元器件与集成电路辐射效应

发表文章：

 

1.TANG Du, LI YongHong, ZHANG GuoHe et al. Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM[J]. SCIENCE CHINA Technological Sciences, 2013, 56(3): 780-785（SCI）

2. 唐杜，刘书焕，李永宏等. Si SOI 微剂量探测器电荷收集特性数值模拟[J]. 信息与电子工程, 2012,10(5),616-620

3.李永宏，赵耀林，唐杜等，130nm体硅SRAM和SOI SRAM器件单粒子翻转3D模拟与分析[J/OL].中国科技论文在线