题目：材料辐射效应
时间：2013年7月27日（星期六） 9：00 am
地点：北二楼1415多媒体会议室
讲座人简介：

 

李正博士是半导体高能粒子探测器与位敏传感器开发及抗辐照加固方面的著名专家。1981年毕业于北京大学物理系，通过李政道教授倡办的CUSPEA(China-U.S. Physics Examination and Application)考试，以全国第七名的身份到宾州大学(Penn.State Univ.)攻读博士学位，1986年10月毕业；1986年11月到美国布鲁克海文国家实验室（BNL）工作至今。1993年年仅34岁任Physicist（相当于教授），于2005年获BNL科学技术奖，此大奖BNL每两年颁发一次，每次只奖给一到两位有重大贡献的BNL的科学家。李正博士在大面积、低漏电流硅探测器，3D结构探测器，杂质工程对硅探测器的辐射加固，辐照缺陷诱导退化机理等方面做出了杰出贡献，所研制的探测器在世界各大加速器、美国航天器上都得到了广泛的应用。

 

李正博士主要从事硅高能粒子探测器的研制和辐照缺陷的材料与器件物理的工作。他开发了制作大面积、低漏电流硅探测器的先进工艺技术，成功地研制了Pad、Strip、Drift、Pixel、stripixel和3D-Trench-Electrode等不同结构的探测器与位敏传感器，面积可达36平方厘米。他系统地进行辐照感生缺陷的理论分析与实验研究，首次提出用杂质工程进行硅探测器硬化的措施，并成功地利用氧空位的吸杂效应大幅度减小漏电流及工作电压，采用低阻材料去补偿中子感生的深受主，低温恢复被大幅度辐照的硅探测器。利用热激电流/深级瞬态谱（TSC/l-DLTS）和电流瞬态/电荷瞬态（TCT/TChT）技术揭示了缺陷深能级与器件退化行为以及与退火过程之间的关系，提出了辐照缺陷诱导退化的荷电模式。在发展TSC/DLTS技术的同时，建立了TSC和DLTS测量深能级的统一理论。他现在领导着世界上学术界为数不多的硅高能粒子探测器模拟、设计、开发及制作和检测的中心。

兼职：
中国科学院半导体所材料科学开放实验室客座教授
湘潭大学材料与光电物理学院兼职教授

日本理化研究所-美国布鲁克海文国家实验室中心（RBRC）客座教授
欧洲粒子物理研究中心（CERN）研发合作项目发言人

 

奖项：
布鲁克海文国家实验室科学技术奖，Science and Technology Award,Brookhaven National Lab, 2005
美国电气与电子工程师协会创新奖，IEEE Regional 1 Award Category 3B: Technology Innovation (Industrial or Government),2012

 

论文：
发表SCI论文两百多篇，他引至少4384次。